作者单位
摘要
1 Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA
2 Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA
Si photonics germanium (Ge) tensile strained photoluminescence (PL) 
Frontiers of Optoelectronics
2012, 5(1): 112
作者单位
摘要
1 Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA
2 Quantum Science Research, Hewlett-Packard Laboratories, Palo Alto, CA 94304, USA
3 Tyndall National Institute, Lee Maltings, Photonics Building, Cork, Ireland
4 Photonics and Microwave Engineering Royal Institute of Technology Kista, Stockholm S-164 40, Sweden
electroabsorption effect Ge optical interconnections optical modulators quantum-confined Stark effect (QCSE) Ge/SiGe quantum wells (QWs) 
Frontiers of Optoelectronics
2012, 5(1): 82

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